Samsung ha modificado su ambicioso cronograma para la fabricación de chips de 1,4 nanómetros, posponiendo su lanzamiento hasta 2029. La compañía surcoreana ha admitido que la tecnología de litografía High-NA EUV, clave para estos avances, aún requiere mejoras significativas. Este ajuste estratégico busca optimizar los procesos actuales de 2 nm antes de adoptar nuevas tecnologías, en un contexto de intensa competencia en el sector de semiconductores.
Actualmente, la producción de chips de vanguardia se sitúa en el proceso de 2 nm para procesadores comerciales. TSMC está fabricando los procesadores A20 Pro destinados a los futuros iPhone 18 Pro de Apple. Por su parte, Samsung introdujo este proceso con el Exynos 2600, un SoC presente en el Samsung Galaxy Z Flip8. Mientras la litografía madura y mejora su rendimiento, Samsung ya está planificando su estrategia para los nodos de 1,4 y 1 nm, aunque enfrenta desafíos considerables.
Samsung había revelado un calendario ambicioso en 2024, prometiendo la disponibilidad de los chips de 1,4 nm para 2027. Sin embargo, dos años después, este cronograma ha cambiado significativamente: los 1,4 nm se han retrasado hasta 2029. La compañía también ha reconocido que la tecnología High-NA EUV, proyectada para este proceso, aún necesita perfeccionamientos.
Según explicó ChangMin Park, vicepresidente de tecnología en Samsung Electronics, durante la conferencia Next-Generation Lithography + Patterning 2026 (NGL 2026) celebrada en Corea del Sur: “Queríamos aplicar High-NA EUV a la producción en masa en procesos de 2 nm y 1,4 nm, entre otros, pero todavía necesita mejoras técnicas”. Añadió: “Creemos que High-NA EUV será necesario a partir de los 10 Å [1 nm] y por debajo, y estamos llevando a cabo desarrollos conjuntos con diversos socios”.
Dado que la reducción del tamaño de los circuitos no depende exclusivamente del diseño de los transistores, Samsung aún no considera que la tecnología High-NA EUV de ASML esté suficientemente madura para su implementación en sus fábricas. ASML afirma que su equipo EXE:5000 puede imprimir elementos 1,7 veces más pequeños, logrando una densidad 2,9 veces superior a la de los sistemas TWINSCAN NXE anteriores. El desafío para Samsung, y para la industria en general, es trasladar estas ventajas teóricas a la producción en masa.
Samsung necesita reducir la brecha con sus competidores. La competencia en el segmento de semiconductores avanzados es extremadamente intensa, y Samsung busca mejorar la competitividad de su negocio de fundición frente a TSMC. Esta situación ha motivado un cambio en su estrategia: antes de experimentar con nuevas tecnologías, Samsung se enfocará en optimizar los 2 nm, aumentando la producción y mejorando el rendimiento por oblea. Los 1,4 nm se postergan hasta 2029, y la introducción de los equipos High-NA EUV y el salto a 1 nm se aplazan hasta 2030, siempre que el calendario no sufra nuevas modificaciones.
TSMC acapara la mayoría de los contratos, mientras que IBM ha establecido récords con el primer chip experimental de menos de 1 nm. Aunque Samsung lidera el mercado en memoria HBM, no lo hace en SoCs. La compañía necesita revitalizar su catálogo para hacerlo más atractivo, especialmente con el fuerte impulso de China a través de SMIC, que se espera que alcance pronto los límites de vanguardia. En este contexto, la experimentación con nuevos procesos no parece ser la estrategia más adecuada por el momento.
En 2024, Samsung había planteado una carrera acelerada hacia el nanómetro. Dos años después, decide moderar el ritmo: antes de implementar la litografía más avanzada, necesita perfeccionar los procesos de los nodos de vanguardia que ya tiene en producción. En esta contienda, no basta con ser el primero en alcanzar el nanómetro; también es crucial lograr su comercialización exitosa.
